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石墨升华速度
石墨升华速度
碳离子注入辅助在6HSiC表面制备石墨烯
2021年7月22日 — 本研究利用 5keVC 离子辅助, 在单晶 6HSiC (0001)表面制备石墨烯, 并对限制控制升华法进行改进。利用离子注入技术, 在 SiC 中引入 C 原子, 通过在封闭石墨舟中退火, 对 Si 原子的升华速率进行限制, 经过退 2024年3月23日 — 热解石墨的强度和温度的关系有着显著的应变速度效应，例如，在 2760°C时变形速度从2×104/s增加到140×104/s，在底面方向的抗拉强度则从54×103kg/cm2 减少到18 x103kg/cm2，破坏应变从 535%下 石墨强度与温度的关系 经过几十年的发展，我国石墨及碳素制品产量快速上升， 20042011 年，石墨及碳素制品产量年复合增长率 2212%。 2011 年，我国石墨及碳素制品产量为 255617 万吨，同比增 石墨百科中国石墨行业门户 2024年1月10日 — 天津大学和佐治亚理工学院的研究者，造出了世界首个由石墨烯制成的半导体。打开石墨烯带隙，实现的是从0到1的里程碑级突破。摩尔定律，还能再续命十年。 世界首个石墨烯半导体登Nature，中国团队为摩尔定律续命
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作喷管的材料 就落在石墨碳和 钨的身上。 石墨和纯钨虽有一定的 高温强度，但它们的抗热冲击性能 仍不理想，因为火焰温度很高，加热 速度很快，几秒钟便升至℃以 上，喷管受 2021年1月27日 — 石墨烯，是由单层碳原子以 sp2 杂化形式紧密堆积成蜂窝状晶格结构的二维纳米碳材料，拥有诸多优异的性质，如高载流子迁移率 ( cm 2 V 1 s 1，室温) 1 、高热导率 (5300 Wm 1 K 1) 2 、 气相反应对CVD生长石墨烯的影响 物理化学学报2023年10月26日 — 全文速览 在宽带隙半导体材料SiC表面直接外延生长石墨烯，在下一代电子学、光子学和量子计量学等多个技术领域中拥有巨大应用潜力。 然而，传统热处理方 厦门大学田中群院士/易骏教授团队AFM 热冲击退火精准 2016年10月21日 — 为了进一步核查试验结果，希腊、法国和瑞典的科学家，通过计算机建模厘清了为何碳化硅—石墨烯在暴烈的氧自由基的作用下仍能“毫发无伤”，且更加稳定：新 新技术提纯的石墨烯更稳定 中国科学院
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世界首个石墨烯半导体登Nature，中国团队为摩尔定律续命10年
2024年1月10日 — 石墨烯大法好！天津大学和佐治亚理工学院的研究者，造出了世界首个由石墨烯制成的半导体。打开石墨烯带隙，实现的是从0到1的里程碑级突破。摩尔定律，还能再续命十年。硅，是所有电子产品的终结吗？这个纪录，被石墨烯打破了！2007年6月29日 — 为石墨颗粒的粒径; C 为石墨的固体比热容(25J g1K )[13]; T v 为石墨的升华温度(39253970K); T0 为环境温度; Hv 为石墨的升华热(717kJmol1)[14] 根据激光照射石墨的实验条件, 可以得到石 墨颗粒完全气化所需时间与激光能量密度关系的 计算结果, 如图1毫秒脉冲激光合成超细纳米金刚石 物理化学学报2024年2月22日 — （1）加工速度更快：通常情况下，石墨的机械加工速度能比铜快2~5倍；而放电加工速度比铜快2~3倍；材料更不容易变形：在薄筋电极的加工上优势明显；铜的软化点在1000度左右，容易因受热而产生变形；石墨的升华温度为3650度；热膨胀系数仅有铜 超级干货：详解石墨模具的成型方式制品材料厚度（ 1 ）加工速度更快：通常情况下，石墨的机械加工速度能比铜快 2~5 倍；而放电加工速度比铜快 2~3 倍 材料更不容易变形：在薄筋电极的加工上优势明显；铜的软化点在 1000 度左右，容易因受热而产生变形；石墨的升华温度为 3650 度；热膨胀系数仅有铜的 1/30 。石墨百科中国石墨行业门户
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一文看懂石墨电极与炼钢的关系：对电弧炉冶炼中石墨电极
2018年2月3日 — 为提高冶炼速度而大幅度缩短冶炼时间，均采用强制吹氧的高化学能操作，这对石墨电极的抗氧化性和抗热震性提出了更高要求。冶炼中石墨电极的端部消耗包括——电弧高温中产生的升华，与钢水和钢渣接触中产生的化学反应。2021年10月9日 — 所制备的石墨烯纳米膜在特定应用领域具有超越单层石墨烯以及宏观组装微米厚石墨烯膜的性质，可用于热声器件，提升器件的响应度和响应速度（30 µs）；可用于太赫兹等离子激元检测痕量分子浓度，显著提升检测最低浓度极限（20倍左右）。浙大高超等《AM》：首次制备出大面积可独立自支撑的纳米 2022年4月1日 — 石墨化过程的动力学研究表明，硼 催化剂 的加入可以降低氧化石墨烯（ GO）石墨化反应的活化能，加快石墨化反应的速度。 硼催化石墨化是降低石墨烯膜热处理温度和生产成本的有效方法， 为今后 石墨烯柔性电子、电磁干扰 (EMI)屏蔽和电极材料的制备 纳米高分子高超课题组 Zhejiang University2021年5月26日 — 底的石墨烯有望在特征尺寸、功耗和速度 等关键参 数方面超越传统硅材料, 在后摩尔定律时代成为高 端电子产品的理想材料 (0001)表面制备石墨烯, 并对限制控制升华 法进行 改进。利用离子注入技术, 在 SiC 中引入 C 原子, 通过在封闭石墨舟中 碳离子注入辅助在 SiC 表面制备石墨烯
毫秒脉冲激光合成超细纳米金刚石 物理化学学报
2007年6月29日 — 为石墨颗粒的粒径; C 为石墨的固体比热容(25J g1K )[13]; T v 为石墨的升华温度(39253970K); T0 为环境温度; Hv 为石墨的升华热(717kJmol1)[14] 根据激光照射石墨的实验条件, 可以得到石 墨颗粒完全气化所需时间与激光能量密度关系的 计算结果, 如图12024年8月19日 — 中国粉体网讯 第三代半导体具有高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移率和高电子迁移率等优异特性，如今广泛应用在5G信号站、新能源汽车和LED等领域。1、半导体用石墨制品 高纯石墨制品在第三代半导体单晶生长设备应用非常广泛，主要用于碳化硅(SiC)单晶生长炉石墨坩埚和石墨加热器 半导体材料成长的“摇篮”石墨坩埚高纯度2024年1月12日 — 石墨烯带隙的打开主要有两种方式：一种是 纳米带方法，这种方法是将石墨烯切割或塑造成极其细小的纳米带。通过纳米加工技术，现在可以以接近原子级的精度制造石墨烯纳米带。在这些纳米带中，由于量子限制效应，电子被限制在一个维度上活动，从而导致 石墨烯，半导体的新希望？ 腾讯网2019年12月28日 — 为提高冶炼速度而大幅度缩短冶炼时间，均采用强制吹氧的高化学能操作，这对石墨电极的抗氧化性和抗热震性提出了更高要求。冶炼中石墨电极的端部消耗包括——电弧高温中产生的升华，与钢水和钢渣接触中产生的化学反应。一文看懂石墨电极与炼钢的关系：对电弧炉冶炼中石墨电极
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世界首个石墨烯半导体登Nature，中国团队为摩尔定
2024年1月10日 — 如下图（a）（b）所示，传统的表石烯和缓冲层在密闭控制升华（CCS）炉中生长，其中35mm × 45mm半绝缘SiC芯片在圆柱形石墨坩埚中在1 bar的Ar中退火 2021年12月16日 — 这是一个将动能转化为热能的过程。图1显示的是一架喷气式飞机的高超音速边界层——即让气流速度在飞机表面滞止为零的近壁空气薄层。可以看到，随着流速增加，由气流速度和压强不稳定性所引起的层流—湍流转捩过程必然会发生。高超声速流动的气动加热——新的发现可以用来克服世界上最 2017年9月12日 — 等静压石墨是上世纪60年代发展起来的一种新型石墨材料，具有一系列优异的性能。譬如，等静压石墨的耐热性好，在惰性气氛下，随着温度的升高其机械强度不但不降低，反而升高，在2500℃左右时达到最高值; 与普通石墨相比，结构精细致密，而且均匀性好; 热膨胀系数很低，具有优异的抗热震 等静压石墨详解2019年9月11日 — 石墨电极是采用石油焦、针状焦为骨料，煤沥青为粘结剂，经过混捏、成型、焙烧、浸渍、石墨化、机械加工等一 系列工艺过程生产出来的一种耐高温石墨质导电材料。 生产石墨电极的原料有石油焦、针状焦和煤沥青石油石墨电极的生产工艺流程和质量指标的及消耗原理原料
等静压石墨的生产工艺、主要用途和国内市场分析
2017年4月21日 — 另一方面，石墨材料的升华 、溅射及从中脱出的气体等混入等离子体中成为杂质。 高能中子对面对材料产生的体损伤，以及高能离子产生的表面损伤等是对面对材料的新挑战。离子体放电脉冲时，嵌入第一壁的燃料粒子飞溅出来，进入等离子体 2021年12月6日 — 此外，石墨烯狄拉克电子的线性色散也使光电探测器和光调制器等目标器件成为可能。对于这些应用中的大多数，在介电衬底上获得没有破损和污染的晶圆级单晶石墨烯是先决条件。通过硅原子的升华，可以很容易地在SiC上制备晶圆大小、高迁移率的石墨烯。Sci Adv：在蓝宝石上直接生长晶圆级高度取向的石墨烯职业接触限值 阈限值1：(可入肺部分)： 阈限值1： 2 mg/m 3 （时间加权平均值） 最高容许浓度1： (可吸入部分)： 最高容许浓度1： 4 mg/m 3； 最高容许浓度2： (可入肺部分)： 最高容许浓度2： 03 mg/m 3； 最高容许浓度2：最高限值类别：II(8)； 最高容许浓度2：妊娠风险等级：C； 最高容许浓度2：致癌物 ICSC 0893 石墨(天然) International Labour Organization2024年1月12日 — 证明了石墨烯的效率更高，允许电子以更快的速度 穿过。更形象的说，这就好比“车子在碎石路上行驶与在高速公路上行驶一样”。这一成就为石墨 石墨烯，半导体的新希望？36氪
浙大高超教授、徐杨教授合作《InfoMat》：基于宏
2022年3月26日 — 然而，经过十余年的发展，石墨烯的应用并没有突破常规半导体对光电子器件波长范围的限制。究其原因，主要在于单层石墨烯对光的低吸收率（~23%）及较强的热电子背散射效应（弛豫时间太短，仅 2016年7月29日 — 石墨烯产业上游为石墨烯资源，中游为石墨烯薄膜与粉体制作等环节，下游为石墨烯应用环节，也是附加值更高、发展空间更广阔的环节。 全球现在已探明的天然石墨储量约为131亿吨，储量居前四位的国 【光明日报】“黑金”石墨烯 中国科学院2022年6月6日 — 点击上方 蓝字 关注我们 高炉焦炭石墨化程度及其影响因素的研究进展 李克江,李洪涛,张建良,孙敏敏,王子明,姜春鹤 摘要： 焦炭是高炉炼铁过程中不可替代的原燃料，石墨化行为是其在高炉内的一个重要劣 【佳文推荐】张建良团队： 高炉焦炭石墨化程度及其 2020年1月7日 — 升华而非熔化:石墨烯再次让研究人员感到惊讶 17:30 来自莫斯科物理技术研究所和俄罗斯科学院高压物理研究所的物理学家们使用计算机建模来细化石墨的熔化曲线，这一研究已经进行了100 多年，但结果并不一致。他们还发现，石墨烯 升华而非熔化:石墨烯再次让研究人员感到惊讶Fomin
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浙大高超教授合作《AM》：宏观组装石墨烯纳米膜
2021年10月13日 — 所制备的石墨烯纳米膜在特定应用领域具有超越单层石墨烯以及宏观组装微米厚石墨烯膜的性质，可用于热声器件，提升器件的响应度和响应速度（30 µs）；可用于太赫兹等离子激元检测痕量分子浓度，显著提升检测最低浓度极限（20倍左右）。2017年3月14日 — 铜，这种曾经占统治地位的电极材料，和石墨电极相比它的优势几乎消失殆尽。是什么导致了这个戏剧性的变化？当然是石墨电极的诸多优势。 石墨为何能取代铜？ （1）加工速度更快：通常情况下，石墨的机械加工速度能比铜快2~5倍；而放电加工速度比 石墨能够取代铜吗？2016年10月21日 — 鉴于此，俄罗斯国立核能研究大学莫斯科工程物理学院（MEPhI）的科学家使用高温碳化硅（SiC）的升华物，成功得到了拥有高度稳定性的石墨烯，这种石墨烯与臭氧接触超过10性能不变；而普通石墨烯在同样的环境下三到四就会性能受损。新技术提纯的石墨烯更稳定 中国科学院2024年3月6日 — 石墨复合材料： 石墨与金属、陶瓷、树脂等材料复合，可制成各种高性能的结构材料和功能材料，广泛应用于航空航天、核工业、汽车制造等领域。 3 石墨及制品的常见检测项目及参考标准石墨材料及制品常见检项目及参考标准详解结构强度领域
厦门大学田中群院士/易骏教授团队AFM 热冲击退火精准
2023年10月26日 — 然而，传统退火处理方法通常需要数小时的升温和降温过程，这使得生长过程中难以对SiC表面Si的升华逃逸以及石墨烯的生长进行有效调控。为了实现SiC表面外延石墨烯的可控生长，首先可以对该基本反应过程进行定性分析（如 式2 所示）。2024年3月4日 — 天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授及其科研团队，日前在半导体石墨烯领域取得了显著进展。 该团队的研究成果以“Ultrahighmobility semiconducting epitaxial graphene on silicon carbide”为题，已于2023年10月31日在Nature杂志上被接收，并于2024年1月3日在该杂志网站上发布。【News】纳米中心2024首篇Nature：半导体石墨烯新进展2024年3月23日 — 关于多晶石墨的强度和温度的关系进行过很多的测定。抗拉抗压弯曲强度都是在常温至 2500℃时随温度上升而增加。极大值约为常温值的2倍。在更高的温度下强度因“软化”及升华现象迅速下降。由于温度上升而强度增加，因此，早期的变形速度稍有减小的倾 石墨强度与温度的关系 学粉体 2015年1月1日 — Fu研究组 55 利用镓代替铜进行远程催化，因为相同条件下镓的升华 压强是铜的十倍，这就意味着更多的镓参与到催化反应中，极大地提升了碳源的裂解速度。他们利用这种方法在石英玻璃表面生长出均匀 石墨烯玻璃：玻璃表面上石墨烯的直接生长 物理化
等静压石墨的生产工艺、主要用途进行
2019年11月9日 — 等静压石墨是上世纪60年代发展起来的一种新型石墨材料，具有一系列优异的性能。譬如，等静压石墨的耐热性好，在惰性气氛下，随着温度的升高其机械强度不但不降低，反而升高，在2500℃左右时 2024年1月16日 — 自2004年英国曼彻斯特大学的两位物理学家首次从石墨中分离出石墨烯以来，这种神奇的材料便因其在光学、电学、力学方面的优异特性，在诸多领域成为具有革命性的材料。特别是在微电子学领域，石墨烯被认为是人类从“硅时代”迈入“碳时代”的关键。中国科学报：自带“开关”的半导体石墨烯问世天津大学2021年1月27日 — CVD法生长石墨烯通常需在较高温度进行，生长时间越长，能耗越大。因此，石墨烯生长速度 的提升，能够减少生长石墨烯所需的时间，助力石墨烯薄膜的低成本制备。 活性碳物种的供给是影响石墨烯生长速度的关键因素。基于气相传质部分的 气相反应对CVD生长石墨烯的影响 物理化学学报2009年3月2日 — 中甲醇杂质对石墨电极性能的影响机制, 发现甲醇 对石墨电极性能的影响与电解液中甲醇的含量有 关;其对石墨电极性能的影响机制为甲醇在20V 左右还原生成的甲氧基锂沉积在石墨电极表面上, 形成一层初始SEI 膜, 影响了碳酸乙烯酯(EC)的还 原分解成膜过程温度对石墨电极性能的影响 物理化学学报
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石墨加工的高精度是多少？工具
2020年4月16日 — 石墨加工中心的技术特征如此多，使它已经有相当长的时间，不再使用无涂层的工具进行石墨加工了。 升华，是指从固体到气体状态的过渡，只有在温度到达大约3825 摄氏度时，石墨才开始升华。此外，现代的机加工中心，在制造石墨电极过程 2018年11月8日 — 一种基于升华法的转移石墨 烯的方法 Authors 邓玉豪 王逸伦 张晓伟 戴伦 马仁敏 Affiliation 北京大学 Issue Date 2015 Citation 2015 Abstract 本发明公开了一种转移石墨烯的方法。该方法利用易升华的物质作为转移石墨烯的支撑层，首先通过加热易升华物 一种基于升华法的转移石墨烯的方法2024年1月5日 — 传统的外延石墨烯和缓冲层是在密闭控制升华（CCS）炉中生长的，将35 mm × 45 mm的半绝缘碳化硅芯片放置在圆柱形石墨坩埚中，在1 bar的氩气环境下，于1300 °C 至1600 °C 的温度范围内退火。硅从坩埚中逸出的速度决定了石墨烯在表面形成的速度。稀有高科 世界首个石墨烯功能半导体，电子迁移率是硅的10倍2015年9月28日 — 蓝宝石单晶材料属于六方晶系，具有电绝缘、易导热、硬度高和价格低廉的特点，因此经常用来作为集成电路的衬底材料。蓝宝石如此优良的特性使得它成为制备石墨烯材料的理想选择，近几年，国际上已有数个研究小组开展了蓝宝石衬底上石墨烯材料生长研究，并取得了一定的进展。蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯
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世界首个石墨烯半导体登Nature，中国团队为摩尔定律续命10年
2024年1月10日 — 石墨烯大法好！天津大学和佐治亚理工学院的研究者，造出了世界首个由石墨烯制成的半导体。打开石墨烯带隙，实现的是从0到1的里程碑级突破。摩尔定律，还能再续命十年。硅，是所有电子产品的终结吗？这个纪录，被石墨烯打破了！2007年6月29日 — 为石墨颗粒的粒径; C 为石墨的固体比热容(25J g1K )[13]; T v 为石墨的升华温度(39253970K); T0 为环境温度; Hv 为石墨的升华热(717kJmol1)[14] 根据激光照射石墨的实验条件, 可以得到石 墨颗粒完全气化所需时间与激光能量密度关系的 计算结果, 如图1毫秒脉冲激光合成超细纳米金刚石 物理化学学报2024年2月22日 — （1）加工速度更快：通常情况下，石墨的机械加工速度能比铜快2~5倍；而放电加工速度比铜快2~3倍；材料更不容易变形：在薄筋电极的加工上优势明显；铜的软化点在1000度左右，容易因受热而产生变形；石墨的升华温度为3650度；热膨胀系数仅有铜 超级干货：详解石墨模具的成型方式制品材料厚度（ 1 ）加工速度更快：通常情况下，石墨的机械加工速度能比铜快 2~5 倍；而放电加工速度比铜快 2~3 倍 材料更不容易变形：在薄筋电极的加工上优势明显；铜的软化点在 1000 度左右，容易因受热而产生变形；石墨的升华温度为 3650 度；热膨胀系数仅有铜的 1/30 。石墨百科中国石墨行业门户
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一文看懂石墨电极与炼钢的关系：对电弧炉冶炼中石墨电极
2018年2月3日 — 为提高冶炼速度而大幅度缩短冶炼时间，均采用强制吹氧的高化学能操作，这对石墨电极的抗氧化性和抗热震性提出了更高要求。冶炼中石墨电极的端部消耗包括——电弧高温中产生的升华，与钢水和钢渣接触中产生的化学反应。2021年10月9日 — 所制备的石墨烯纳米膜在特定应用领域具有超越单层石墨烯以及宏观组装微米厚石墨烯膜的性质，可用于热声器件，提升器件的响应度和响应速度（30 µs）；可用于太赫兹等离子激元检测痕量分子浓度，显著提升检测最低浓度极限（20倍左右）。浙大高超等《AM》：首次制备出大面积可独立自支撑的纳米 2022年4月1日 — 石墨化过程的动力学研究表明，硼 催化剂 的加入可以降低氧化石墨烯（ GO）石墨化反应的活化能，加快石墨化反应的速度。 硼催化石墨化是降低石墨烯膜热处理温度和生产成本的有效方法， 为今后 石墨烯柔性电子、电磁干扰 (EMI)屏蔽和电极材料的制备 纳米高分子高超课题组 Zhejiang University2021年5月26日 — 底的石墨烯有望在特征尺寸、功耗和速度 等关键参 数方面超越传统硅材料, 在后摩尔定律时代成为高 端电子产品的理想材料 (0001)表面制备石墨烯, 并对限制控制升华 法进行 改进。利用离子注入技术, 在 SiC 中引入 C 原子, 通过在封闭石墨舟中 碳离子注入辅助在 SiC 表面制备石墨烯
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毫秒脉冲激光合成超细纳米金刚石 物理化学学报
2007年6月29日 — 为石墨颗粒的粒径; C 为石墨的固体比热容(25J g1K )[13]; T v 为石墨的升华温度(39253970K); T0 为环境温度; Hv 为石墨的升华热(717kJmol1)[14] 根据激光照射石墨的实验条件, 可以得到石 墨颗粒完全气化所需时间与激光能量密度关系的 计算结果, 如图12024年8月19日 — 中国粉体网讯 第三代半导体具有高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移率和高电子迁移率等优异特性，如今广泛应用在5G信号站、新能源汽车和LED等领域。1、半导体用石墨制品 高纯石墨制品在第三代半导体单晶生长设备应用非常广泛，主要用于碳化硅(SiC)单晶生长炉石墨坩埚和石墨加热器 半导体材料成长的“摇篮”石墨坩埚高纯度